KST13 Todos los transistores

 

KST13 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KST13
   Código: 1M
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KST13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  fairchild semi
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KST13

KST13/14Darlington Amplifier Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCES Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 10 VIC Collector Current 300 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Stora

 ..2. Size:42K  samsung
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KST13

KST13/14 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCES 30 VEmitter-Base Voltage VEBO 10 VCollector Current IC 300 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorELECTRICAL

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History: KTC4075F | HA7520 | MMBT2907AL

 

 
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