KST13 Todos los transistores

 

KST13 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KST13

Código: 1M

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000

Encapsulados: SOT23

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KST13 datasheet

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KST13

KST13/14 Darlington Amplifier Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V IC Collector Current 300 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Stora

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KST13

KST13/14 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCES 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 10 V Collector Current IC 300 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. Collector ELECTRICAL

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