KST13 - описание и поиск аналогов

 

KST13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KST13

Маркировка: 1M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KST13

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST13 даташит

 ..1. Size:52K  fairchild semi
 kst13.pdf pdf_icon

KST13

KST13/14 Darlington Amplifier Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V IC Collector Current 300 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Stora

 ..2. Size:42K  samsung
 kst13.pdf pdf_icon

KST13

KST13/14 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCES 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 10 V Collector Current IC 300 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. Collector ELECTRICAL

Другие транзисторы: KST05, KST06, KST10, KST1009F1, KST1009F2, KST1009F3, KST1009F4, KST1009F5, BC547B, KST14, KST1623L4, KST1623L5, KST1623L6, KST1623L7, KST20, KST2222, KST2222A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.