2N4100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4100 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 150
Encapsulados: TO77
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2N4100 datasheet
2n4104.pdf
2N4104 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 60V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.05A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 3CA5782
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Liste
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