2N4100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4100
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: TO77
Búsqueda de reemplazo de 2N4100
2N4100 Datasheet (PDF)
2n4104.pdf

2N4104Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230)5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195)4.52 (0.178)Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 60V 0.48 (0.019)0.41 (0.016)dia.IC = 0.05A 2.54 (0.100)All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
Otros transistores... 2N4081 , 2N4086 , 2N4087 , 2N4087A , 2N409 , 2N4099 , 2N41 , 2N410 , BC548 , 2N4104 , 2N4105 , 2N4106 , 2N4106A , 2N411 , 2N4111 , 2N4112 , 2N4113 .
History: 2SC4765
History: 2SC4765



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor