2N4106 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4106
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: TO1
Búsqueda de reemplazo de 2N4106
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N4106 datasheet
2n4104.pdf
2N4104 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 60V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.05A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
Otros transistores... 2N4087A , 2N409 , 2N4099 , 2N41 , 2N410 , 2N4100 , 2N4104 , 2N4105 , TIP31C , 2N4106A , 2N411 , 2N4111 , 2N4112 , 2N4113 , 2N4114 , 2N4115 , 2N4116 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260