Биполярный транзистор 2N4106 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4106
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO1
2N4106 Datasheet (PDF)
9.2. Size:10K semelab
2n4104.pdf
2n4104.pdf
2N4104Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230)5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195)4.52 (0.178)Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 60V 0.48 (0.019)0.41 (0.016)dia.IC = 0.05A 2.54 (0.100)All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
Другие транзисторы... 2N4087A , 2N409 , 2N4099 , 2N41 , 2N410 , 2N4100 , 2N4104 , 2N4105 , BC557 , 2N4106A , 2N411 , 2N4111 , 2N4112 , 2N4113 , 2N4114 , 2N4115 , 2N4116 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050