KT829V Todos los transistores

 

KT829V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT829V
   Código: КТ829В
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
 

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KT829V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:33K  no
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KT829V

n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max)[Ur max],B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh21), 4R -(R -),/ 2.08

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KT829V

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
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KT829V

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE

Otros transistores... KT827V , KT828A , KT828B , KT828G , KT828V , KT829A , KT829B , KT829G , BC639 , KT830 , KT830A , KT830G , KT830V , KT834A , KT834B , KT834V , KT835A .

History: 2SC1318A | GSDS50020 | CZT7120 | KT9149A

 

 
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