KT829V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT829V

Маркировка: КТ829В

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

 Аналоги (замена) для KT829V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT829V даташит

 9.1. Size:33K  no
 kt829a.pdf pdf_icon

KT829V

n-p-n, 829 Ik max,A 8 Uo (U max)[Ur max],B100 U max,B 100 P max(P max), 60 T max,C 150 h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3 U ,B 2 I(IR), 1500 f(fh21), 4 R -(R -),/ 2.08

 9.2. Size:713K  russia
 kt829a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT829V

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 kt829a.pdf pdf_icon

KT829V

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE

Другие транзисторы: KT827V, KT828A, KT828B, KT828G, KT828V, KT829A, KT829B, KT829G, BC556, KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A, KT834B, KT834V, KT835A