KT912B Todos los transistores

 

KT912B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT912B
   Código: КТ912Б
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
 

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KT912B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:706K  russia
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KT912B

 9.2. Size:96K  syntez microelectronics
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KT912B

Syntez MicroelectronicsKT9128ACSILICON BIPOLAR NPN POWER TRANSISTOR200 W, in the 30 175 MHz Frequency Range ________________________________________________The silicon bipolar n-p-n transistor is designed forwideband largesignal output and driver amplifierstages in the 30 to 175 MHz frequency range.Features (At 175 MHz): Output Power: 200 W Power Gain: 7.5 dB Min

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History: BC850BLT1G | 2SD1348S | GE10023 | STC403 | KT203VM | LBC848BPDW1T1G | GME6003

 

 
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