KT912B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT912B

Маркировка: КТ912Б

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

 Аналоги (замена) для KT912B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT912B даташит

 9.1. Size:706K  russia
 kt912a-b 2t912a-b.pdf pdf_icon

KT912B

 9.2. Size:96K  syntez microelectronics
 kt9128ac.pdf pdf_icon

KT912B

Syntez Microelectronics KT9128AC SILICON BIPOLAR NPN POWER TRANSISTOR 200 W, in the 30 175 MHz Frequency Range ________________________________________________ The silicon bipolar n-p-n transistor is designed for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 175 MHz frequency range. Features (At 175 MHz) Output Power 200 W Power Gain 7.5 dB Min

Другие транзисторы: KT9121V, KT9124A, KT9124B, KT9126A, KT9127A, KT9127B, KT9129A, KT912A, B772, KT9131A, KT9133A, KT9135A-2, KT9137A, KT9139A, KT9139B, KT913A, KT913B