KTB817 Todos los transistores

 

KTB817 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB817
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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KTB817 Datasheet (PDF)

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KTB817

SEMICONDUCTOR KTB817TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q BKFEATURES Complementary to KTD1047.Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

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KTB817

SEMICONDUCTOR KTB817BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B.Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -160 VCollector-Base VoltageVCEO -140 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltage -6 VICDC -12C

Otros transistores... KTB1369 , KTB1370 , KTB1423 , KTB1424 , KTB2955 , KTB595 , KTB688 , KTB778 , TIP41 , KTB988 , KTB989 , KTC1001 , KTC1003 , KTC1006 , KTC1008 , KTC1020 , KTC1026 .

History: 2SB798DL | MUN5130DW1

 

 
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