KTB817 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTB817
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTB817
KTB817 Datasheet (PDF)
ktb817.pdf
SEMICONDUCTOR KTB817TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q BKFEATURES Complementary to KTD1047.Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATING
ktb817b.pdf
SEMICONDUCTOR KTB817BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B.Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -160 VCollector-Base VoltageVCEO -140 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltage -6 VICDC -12C
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050