KTB817 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTB817  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTB817

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB817 даташит

 ..1. Size:392K  kec
 ktb817.pdf pdf_icon

KTB817

SEMICONDUCTOR KTB817 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Complementary to KTD1047. Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 0.1. Size:688K  kec
 ktb817b.pdf pdf_icon

KTB817

SEMICONDUCTOR KTB817B TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B. Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -160 V Collector-Base Voltage VCEO -140 V Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC DC -12 C

Другие транзисторы: KTB1369, KTB1370, KTB1423, KTB1424, KTB2955, KTB595, KTB688, KTB778, 2N3055, KTB988, KTB989, KTC1001, KTC1003, KTC1006, KTC1008, KTC1020, KTC1026