KTB817 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги KTB817. Основные параметры


   Наименование производителя: KTB817
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для KTB817

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB817 даташит

 ..1. Size:392K  kec
 ktb817.pdf pdf_icon

KTB817

SEMICONDUCTOR KTB817 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Complementary to KTD1047. Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 0.1. Size:688K  kec
 ktb817b.pdf pdf_icon

KTB817

SEMICONDUCTOR KTB817B TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B. Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -160 V Collector-Base Voltage VCEO -140 V Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC DC -12 C

Другие транзисторы... KTB1369 , KTB1370 , KTB1423 , KTB1424 , KTB2955 , KTB595 , KTB688 , KTB778 , 2N5401 , KTB988 , KTB989 , KTC1001 , KTC1003 , KTC1006 , KTC1008 , KTC1020 , KTC1026 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.