KTC393B9 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTC393B9  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.02 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

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KTC393B9 datasheet

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KTC393B9

SEMICONDUCTOR KTC3911S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES E L B L High Voltage VCEO=120V. DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). C 1.30 MAX 2 High hFE hFE=200 700. 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 1 G 1.90

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KTC393B9

SEMICONDUCTOR KTC3964 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. A Switching Applications B D C Solenoid Drive Applications E Temperature Compensated for Audio Amplifier Output Stage F FEATURES G High DC current gain hFE = 500(min) (IC=400mA) H Low Collector emitter saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max) DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX (IC=300mA)

 9.3. Size:929K  russia
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