KTD863 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTD863

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

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KTD863 datasheet

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KTD863

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD KTD863 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC KTD863 is a triple diffused NPN transistor. it uses UTC s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage and high collector current capability, etc. The UTC KTD863 is suitable for voltage regulator,

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KTD863

SEMICONDUCTOR KTD863 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR VOLTAGE REGULATOR, RELAY, RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE B D FEATURES High Voltage VCEO=60V(Min.). DIM MILLIMETERS P High Current IC(Max.)=1A. DEPTH 0.2 A 7.20 MAX High Transition Frequency fT=150MHz(Typ.). B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S Wide Area of Safe Operation. D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX K Complementar

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