KTD863 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTD863
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTD863
KTD863 Datasheet (PDF)
ktd863.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD KTD863 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC KTD863 is a triple diffused NPN transistor. it uses UTCs advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage and high collector current capability, etc. The UTC KTD863 is suitable for voltage regulator,
ktd863.pdf
SEMICONDUCTOR KTD863TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATOR, RELAY, RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USEB DFEATURES High Voltage : VCEO=60V(Min.).DIM MILLIMETERSP High Current : IC(Max.)=1A.DEPTH:0.2A 7.20 MAX High Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.). B 5.20 MAXCC 0.60 MAXS Wide Area of Safe Operation.D 2.50 MAXQE 1.15 MAXK Complementar
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050