Биполярный транзистор KTD863 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTD863
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
KTD863 Datasheet (PDF)
ktd863.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD KTD863 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC KTD863 is a triple diffused NPN transistor. it uses UTCs advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage and high collector current capability, etc. The UTC KTD863 is suitable for voltage regulator,
ktd863.pdf
SEMICONDUCTOR KTD863TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATOR, RELAY, RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USEB DFEATURES High Voltage : VCEO=60V(Min.).DIM MILLIMETERSP High Current : IC(Max.)=1A.DEPTH:0.2A 7.20 MAX High Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.). B 5.20 MAXCC 0.60 MAXS Wide Area of Safe Operation.D 2.50 MAXQE 1.15 MAXK Complementar
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
