KTD863 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTD863

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для KTD863

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD863 даташит

 ..1. Size:131K  utc
 ktd863.pdf pdf_icon

KTD863

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD KTD863 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC KTD863 is a triple diffused NPN transistor. it uses UTC s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage and high collector current capability, etc. The UTC KTD863 is suitable for voltage regulator,

 ..2. Size:80K  kec
 ktd863.pdf pdf_icon

KTD863

SEMICONDUCTOR KTD863 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR VOLTAGE REGULATOR, RELAY, RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE B D FEATURES High Voltage VCEO=60V(Min.). DIM MILLIMETERS P High Current IC(Max.)=1A. DEPTH 0.2 A 7.20 MAX High Transition Frequency fT=150MHz(Typ.). B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S Wide Area of Safe Operation. D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX K Complementar

Другие транзисторы: KTD2061, KTD2066, KTD2092, KTD2424, KTD3055, KTD525, KTD686, KTD718, A733, KTD998, KTN2222, KTN2222A, KTN2222AS, KTN2222S, KTN2369, KTN2369A, KTN2369S