KTD998 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTD998
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTD998
KTD998 Datasheet (PDF)
ktd998.pdf
SEMICONDUCTOR KTD998TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.DIM MILLIMETERSFEATURES A 16.30 MAXA C_+B 12.00 0.30RRecommended for 4550W Audio Frequency _+C 5.50 0.20WWU D 1.20 MAXAmplifier Output Stage.E 8.00VF 5.00Complementary to KTB778._+G 17.00 0.30H 0.60+0.15/-0.10I 2.50_+J 20.0 0.1IM
ktd998.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor KTD998DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTB778Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOLU
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050