KTD998 Todos los transistores

 

KTD998 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTD998
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

KTD998 Datasheet (PDF)

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KTD998

SEMICONDUCTOR KTD998TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.DIM MILLIMETERSFEATURES A 16.30 MAXA C_+B 12.00 0.30RRecommended for 4550W Audio Frequency _+C 5.50 0.20WWU D 1.20 MAXAmplifier Output Stage.E 8.00VF 5.00Complementary to KTB778._+G 17.00 0.30H 0.60+0.15/-0.10I 2.50_+J 20.0 0.1IM

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
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KTD998

isc Silicon NPN Power Transistor KTD998DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTB778Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOLU

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BTC3838N3

 

 
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