KTD998 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTD998

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для KTD998

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD998 даташит

 ..1. Size:52K  kec
 ktd998.pdf pdf_icon

KTD998

SEMICONDUCTOR KTD998 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. DIM MILLIMETERS FEATURES A 16.30 MAX A C _ + B 12.00 0.30 R Recommended for 45 50W Audio Frequency _ + C 5.50 0.20 W W U D 1.20 MAX Amplifier Output Stage. E 8.00 V F 5.00 Complementary to KTB778. _ + G 17.00 0.30 H 0.60+0.15/-0.10 I 2.50 _ + J 20.0 0.1 I M

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
 ktd998.pdf pdf_icon

KTD998

isc Silicon NPN Power Transistor KTD998 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type KTB778 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLU

Другие транзисторы: KTD2066, KTD2092, KTD2424, KTD3055, KTD525, KTD686, KTD718, KTD863, S8550, KTN2222, KTN2222A, KTN2222AS, KTN2222S, KTN2369, KTN2369A, KTN2369S, KTN2369U