MA4102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MA4102
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MA4102
MA4102 Datasheet (PDF)
fdma410nz.pdf
April 2009FDMA410NZSingle N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.5 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 29 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special M
ama410n.pdf
Analog Power AMA410NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V4.7 Low thermal impedance 10099 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA
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