MA888 Todos los transistores

 

MA888 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MA888

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO5

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MA888 datasheet

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MA888

May 2014 FDMA8884 Single N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 m Features General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 6.5 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 30 m at VGS = 4.5 V, ID = 6.0 A been optimized for rDS(on) switching performance. High performance trenc

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