MA888 Todos los transistores

 

MA888 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MA888
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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MA888 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:383K  fairchild semi
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MA888

May 2014FDMA8884Single N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 6.5 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 30 m at VGS = 4.5 V, ID = 6.0 Abeen optimized for rDS(on) switching performance. High performance trenc

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History: C5344 | CTP1728 | ST6008 | ME511 | BFP194W

 

 
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