MA888 - описание и поиск аналогов

 

MA888. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MA888

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для MA888

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MA888 даташит

 0.1. Size:383K  fairchild semi
 fdma8884.pdf pdf_icon

MA888

May 2014 FDMA8884 Single N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 m Features General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 6.5 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 30 m at VGS = 4.5 V, ID = 6.0 A been optimized for rDS(on) switching performance. High performance trenc

Другие транзисторы... MA8003 , MA881 , MA882 , MA883 , MA884 , MA885 , MA886 , MA887 , S8550 , MA889 , MA890 , MA891 , MA892 , MA893 , MA894 , MA895 , MA896 .

History: BDX68 | BC860

 

 

 

 

↑ Back to Top
.