MC150 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MC150  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO126

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MC150 datasheet

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MC150

MPMC150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

Otros transistores... MA901, MA902, MA909, MA910, MBTA42, MC140, MC141, MC142, A1013, MC151, MC152, MC160, MC161, MC172, MC328, MC350, MD1120