MC150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MC150  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MC150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MC150 даташит

 0.1. Size:1183K  magnachip
 mpmc150b120rh.pdf pdf_icon

MC150

MPMC150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

Другие транзисторы: MA901, MA902, MA909, MA910, MBTA42, MC140, MC141, MC142, A1013, MC151, MC152, MC160, MC161, MC172, MC328, MC350, MD1120