2N1100 Todos los transistores

2N1100 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1100

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 65 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 95 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO36

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