2N1100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N1100
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 65 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 95 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 0.15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO36
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