2N1100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1100
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 65 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 95 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.15 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO36
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2N1100 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1094 , 2N1095 , 2N109-5 , 2N1096 , 2N1097 , 2N1098 , 2N1099 , 2N110 , 2SC5200 , 2N1101 , 2N1102 , 2N1103 , 2N1104 , 2N1105 , 2N1106 , 2N1107 , 2N1108 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050