Биполярный транзистор 2N1100 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1100
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 65 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO36
     - подбор биполярного транзистора по параметрам