2N1100 - описание и поиск аналогов

2N1100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1100

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 65 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO36

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам