Биполярный транзистор 2N1100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1100
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 65 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO36

Другие транзисторы... 2N1094 , 2N1095 , 2N109-5 , 2N1096 , 2N1097 , 2N1098 , 2N1099 , 2N110 , BC547 , 2N1101 , 2N1102 , 2N1103 , 2N1104 , 2N1105 , 2N1106 , 2N1107 , 2N1108 .