MJ10200 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJ10200
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 500 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 200 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 4000 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 75
Encapsulados: SPECIAL
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MJ10200 datasheet
fdmj1023pz.pdf
August 2007 FDMJ1023PZ tm Dual P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 2.9A, 112m Features General Description Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9A This dual P-Channel MOSFET uses Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. This device is designed Max rDS(on) = 160m at VGS = 2.5V, ID = 2.4A specifically as a single package solution for
Otros transistores... MJ10050 , MJ10051 , MJ10052 , MJ100BD45 , MJ100BK100 , MJ10100 , MJ10101 , MJ10102 , MJE340 , MJ10201 , MJ10202 , MJ105 , MJ11011 , MJ11012 , MJ11013 , MJ11014 , MJ11015 .
History: 3DK104 | 3DK10
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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