MJ10200 Todos los transistores

 

MJ10200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MJ10200
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 500 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 200 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 4000 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: SPECIAL
 

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MJ10200 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:328K  fairchild semi
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MJ10200

August 2007FDMJ1023PZtmDual P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 2.9A, 112mFeatures General Description Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9AThis dual P-Channel MOSFET uses Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. This device is designed Max rDS(on) = 160m at VGS = 2.5V, ID = 2.4Aspecifically as a single package solution for

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History: BD249F

 

 
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