MJ10200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJ10200
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 500 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 200 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 4000 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: SPECIAL
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MJ10200 Datasheet (PDF)
9.1. Size:328K fairchild semi
fdmj1023pz.pdf
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August 2007FDMJ1023PZtmDual P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 2.9A, 112mFeatures General Description Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9AThis dual P-Channel MOSFET uses Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. This device is designed Max rDS(on) = 160m at VGS = 2.5V, ID = 2.4Aspecifically as a single package solution for
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