MJ10200 - описание и поиск аналогов

 

MJ10200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ10200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для MJ10200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ10200 даташит

 9.1. Size:328K  fairchild semi
 fdmj1023pz.pdf pdf_icon

MJ10200

August 2007 FDMJ1023PZ tm Dual P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 2.9A, 112m Features General Description Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9A This dual P-Channel MOSFET uses Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. This device is designed Max rDS(on) = 160m at VGS = 2.5V, ID = 2.4A specifically as a single package solution for

Другие транзисторы: MJ10050, MJ10051, MJ10052, MJ100BD45, MJ100BK100, MJ10100, MJ10101, MJ10102, MJE340, MJ10201, MJ10202, MJ105, MJ11011, MJ11012, MJ11013, MJ11014, MJ11015

 

 

 

 

↑ Back to Top
.