Биполярный транзистор MJ10200 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJ10200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4000 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: SPECIAL
Аналог (замена) для MJ10200
MJ10200 Datasheet (PDF)
fdmj1023pz.pdf

August 2007FDMJ1023PZtmDual P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 2.9A, 112mFeatures General Description Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9AThis dual P-Channel MOSFET uses Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. This device is designed Max rDS(on) = 160m at VGS = 2.5V, ID = 2.4Aspecifically as a single package solution for
Другие транзисторы... MJ10050 , MJ10051 , MJ10052 , MJ100BD45 , MJ100BK100 , MJ10100 , MJ10101 , MJ10102 , 2SA1837 , MJ10201 , MJ10202 , MJ105 , MJ11011 , MJ11012 , MJ11013 , MJ11014 , MJ11015 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet