Справочник транзисторов. MJ10200

 

Биполярный транзистор MJ10200 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ10200
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SPECIAL
 

 Аналог (замена) для MJ10200

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ10200 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:328K  fairchild semi
 fdmj1023pz.pdf pdf_icon

MJ10200

August 2007FDMJ1023PZtmDual P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 2.9A, 112mFeatures General Description Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9AThis dual P-Channel MOSFET uses Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. This device is designed Max rDS(on) = 160m at VGS = 2.5V, ID = 2.4Aspecifically as a single package solution for

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.