MJ410 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJ410
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MJ410
MJ410 Datasheet (PDF)
mj410.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ410DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V )= 0.8V(Max)@ I = 1ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium to high voltage inverters, converters,regulators and switching circuits.
mj410rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ410/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJ410High Voltage NPN Silicon5 AMPERETransistorsPOWER TRANSISTORNPN SILICON. . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and200 VOLTSswitching circuits.100 WATTS High CollectorEmitter Voltage VCEO = 200 Volts DC Current Gain Specified @ 1.0 and 2.5 Adc
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History: 2N87
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Liste
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