MJ410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ410

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ410

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ410 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 mj410.pdf pdf_icon

MJ410

isc Silicon NPN Power Transistor MJ410 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V )= 0.8V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits.

 0.1. Size:139K  motorola
 mj410rev.pdf pdf_icon

MJ410

Order this document MOTOROLA by MJ410/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ410 High Voltage NPN Silicon 5 AMPERE Transistors POWER TRANSISTOR NPN SILICON . . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and 200 VOLTS switching circuits. 100 WATTS High Collector Emitter Voltage VCEO = 200 Volts DC Current Gain Specified @ 1.0 and 2.5 Adc

Другие транзисторы: MJ4010, MJ4011, MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ4033, MJ4034, MJ4035, TIP41C, MJ4101, MJ411, MJ413, MJ420, MJ4200, MJ4201, MJ420S, MJ421