Биполярный транзистор MJ410 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJ410
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO3
MJ410 Datasheet (PDF)
mj410.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ410DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V )= 0.8V(Max)@ I = 1ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium to high voltage inverters, converters,regulators and switching circuits.
mj410rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ410/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJ410High Voltage NPN Silicon5 AMPERETransistorsPOWER TRANSISTORNPN SILICON. . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and200 VOLTSswitching circuits.100 WATTS High CollectorEmitter Voltage VCEO = 200 Volts DC Current Gain Specified @ 1.0 and 2.5 Adc
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050