MJ413 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MJ413
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 325 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MJ413

MJ413 Datasheet (PDF)

..1. Size:214K inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor MJ413DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 325V(Min.)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 20-80@ I = 0.5AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium to high voltage inverters, converters,regulators and switching circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

0.1. Size:134K motorola
mj413rev.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJ413/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJ413MJ423High-Voltage NPN SiliconTransistors10 AMPERE. . . designed for mediumtohigh voltage inverters, converters, regulators andPOWER TRANSISTORSswitching circuits.NPN SILICON High Voltage VCEX = 400 Vdc400 VOLTS Gain Specified to 3.

Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: 2N2269

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050