MJ413. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ413

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ413

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ413 даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 mj413.pdf pdf_icon

MJ413

isc Silicon NPN Power Transistor MJ413 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 325V(Min.) CEO(SUS) DC Current Gain- h = 20-80@ I = 0.5A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 0.1. Size:134K  motorola
 mj413rev.pdf pdf_icon

MJ413

Order this document MOTOROLA by MJ413/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ413 MJ423 High-Voltage NPN Silicon Transistors 10 AMPERE . . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and POWER TRANSISTORS switching circuits. NPN SILICON High Voltage VCEX = 400 Vdc 400 VOLTS Gain Specified to 3.

Другие транзисторы: MJ4031, MJ4032, MJ4033, MJ4034, MJ4035, MJ410, MJ4101, MJ411, 2N2222, MJ420, MJ4200, MJ4201, MJ420S, MJ421, MJ4210, MJ4211, MJ421S