MJ423 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJ423
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 325 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3
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MJ423 datasheet
mj423.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ423 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 325V(Min.) CEO(SUS) DC Current Gain- h = 30-90@ I = 1A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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History: BCY58B
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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