MJ423. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ423

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ423

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ423 даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 mj423.pdf pdf_icon

MJ423

isc Silicon NPN Power Transistor MJ423 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 325V(Min.) CEO(SUS) DC Current Gain- h = 30-90@ I = 1A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: MJ420, MJ4200, MJ4201, MJ420S, MJ421, MJ4210, MJ4211, MJ421S, BC337, MJ4237, MJ4238, MJ424, MJ4240, MJ4247, MJ4248, MJ425, MJ431