MJ425 Todos los transistores

 

MJ425 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MJ425

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de MJ425

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MJ425 datasheet

 ..1. Size:198K  inchange semiconductor
 mj425.pdf pdf_icon

MJ425

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ425 DESCRIPTION High Collector-Emitter Voltage-VCEX= 700V DC Current Gain-hFE=10(min)@ IC=2.5A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)=0.8Vdc(max)@IC=1Adc APPLICATIONS Designed for use in high voltage applications in deflection circuits, swithing regulators, inverters, and ti

Otros transistores... MJ421S, MJ423, MJ4237, MJ4238, MJ424, MJ4240, MJ4247, MJ4248, TIP3055, MJ431, MJ432, MJ4360, MJ4361, MJ4380, MJ4381, MJ440, MJ4401

 

 

 

 

↑ Back to Top
.