MJ425. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ425

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ425

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ425 даташит

 ..1. Size:198K  inchange semiconductor
 mj425.pdf pdf_icon

MJ425

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ425 DESCRIPTION High Collector-Emitter Voltage-VCEX= 700V DC Current Gain-hFE=10(min)@ IC=2.5A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)=0.8Vdc(max)@IC=1Adc APPLICATIONS Designed for use in high voltage applications in deflection circuits, swithing regulators, inverters, and ti

Другие транзисторы: MJ421S, MJ423, MJ4237, MJ4238, MJ424, MJ4240, MJ4247, MJ4248, TIP3055, MJ431, MJ432, MJ4360, MJ4361, MJ4380, MJ4381, MJ440, MJ4401