MJE53 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJE53 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO220
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MJE53 datasheet
mje53t.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJE53T DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications ABSOLU
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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