2N433 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N433
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO5
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2N433 datasheet
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
2N4338/4339/4340/4341 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA) 2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.6 2N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.5 2N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.6 2N4341 -2 to -6 -50 2 9 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low Cutoff Voltage 2N4338
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
N-Channel JFET Low Noise Amplifier CORPORATION 2N4338 2N4341 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Otros transistores... 2N431, 2N4310, 2N4311, 2N4312, 2N4313, 2N4314, 2N4315, 2N432, D882P, 2N434, 2N4346, 2N4347, 2N4348, 2N4349, 2N4350, 2N4354, 2N4355
History: 2SA745 | 2N4347
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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