2N433 - описание и поиск аналогов

 

2N433. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N433

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N433

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N433 даташит

 ..1. Size:304K  general electric
 2n433 2n434.pdf pdf_icon

2N433

 0.1. Size:75K  vishay
 2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf pdf_icon

2N433

2N4338/4339/4340/4341 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA) 2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.6 2N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.5 2N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.6 2N4341 -2 to -6 -50 2 9 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low Cutoff Voltage 2N4338

 0.2. Size:19K  calogic
 2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf pdf_icon

2N433

N-Channel JFET Low Noise Amplifier CORPORATION 2N4338 2N4341 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Другие транзисторы: 2N431, 2N4310, 2N4311, 2N4312, 2N4313, 2N4314, 2N4315, 2N432, D882P, 2N434, 2N4346, 2N4347, 2N4348, 2N4349, 2N4350, 2N4354, 2N4355

 

 

 

 

↑ Back to Top
.