MJH10012 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJH10012
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 118 W
Tensión colector-base (Vcb): 550 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 350 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 300
Encapsulados: TO218
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MJH10012 datasheet
mjh10012.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJH10012 DESCRIPTION With TO-3PN package High voltage,high current DARLINGTON APPLICATIONS Automotive ignition Switching regulator Motor control applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Em
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History: MJW16212 | MM1152 | MUN2137T1G
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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