Справочник транзисторов. MJH10012

 

Биполярный транзистор MJH10012 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJH10012
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 118 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для MJH10012

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJH10012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  inchange semiconductor
 mjh10012.pdf pdf_icon

MJH10012

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJH10012 DESCRIPTION With TO-3PN package High voltage,high current DARLINGTON APPLICATIONS Automotive ignition Switching regulator Motor control applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Em

Другие транзисторы... MJF18006 , MJF18008 , MJF2955 , MJF3055 , MJF47 , MJF6107 , MJF6388 , MJF6688 , C3198 , MJH11017 , MJH11018 , MJH11019 , MJH11020 , MJH11021 , MJH11022 , MJH12004 , MJH13090 .

History: TIS62 | BC326 | 2SC17A | 2SA675 | RN1906 | BUT60 | BUX92

 

 
Back to Top

 


 
.