MM1151 Todos los transistores

 

MM1151 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MM1151
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO72
 

 Búsqueda de reemplazo de MM1151

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MM1151 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:709K  way-on
 wmm115n15hg4.pdf pdf_icon

MM1151

WMM115N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM115N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gon-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 150V, I =

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: PBSS302ND | KRA117

 

 
Back to Top

 


 
.