MM1151 Todos los transistores

 

MM1151 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MM1151

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO72

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MM1151 datasheet

 9.1. Size:709K  way-on
wmm115n15hg4.pdf pdf_icon

MM1151

WMM115N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM115N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S This device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features V = 150V, I =

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History: BDX13-7 | 2N6082

 

 

 


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