Справочник транзисторов. MM1151

 

Биполярный транзистор MM1151 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MM1151
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO72
 

 Аналог (замена) для MM1151

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MM1151 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:709K  way-on
 wmm115n15hg4.pdf pdf_icon

MM1151

WMM115N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM115N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gon-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 150V, I =

Другие транзисторы... MJW16012 , MJW16018 , MJW16110 , MJW16206 , MJW16210 , MJW16212 , MM1008 , MM1139 , 2SC5198 , MM1152 , MM1153 , MM1154 , MM1161 , MM1162 , MM1163 , MM1164 , MM1461 .

History: D45VM7

 

 
Back to Top

 


 
.