MM1152 Todos los transistores

 

MM1152 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MM1152
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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MM1152 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:709K  way-on
 wmm115n15hg4.pdf pdf_icon

MM1152

WMM115N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM115N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gon-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 150V, I =

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