Справочник транзисторов. MM1152

 

Биполярный транзистор MM1152 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MM1152
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MM1152 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:709K  way-on
 wmm115n15hg4.pdf pdf_icon

MM1152

WMM115N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM115N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gon-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 150V, I =

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: EMD12FHA | TMPC1622D6 | NTE2343 | KSD5016 | DTA143TKA | 2SC369G | 2SD1039

 

 
Back to Top

 


 
.