MM1152. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MM1152

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для MM1152

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MM1152 даташит

 9.1. Size:709K  way-on
 wmm115n15hg4.pdf pdf_icon

MM1152

WMM115N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM115N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S This device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features V = 150V, I =

Другие транзисторы: MJW16018, MJW16110, MJW16206, MJW16210, MJW16212, MM1008, MM1139, MM1151, D882P, MM1153, MM1154, MM1161, MM1162, MM1163, MM1164, MM1461, MM1462