MMBR920LT1 Todos los transistores

 

MMBR920LT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMBR920LT1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.268 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMBR920LT1 Datasheet (PDF)

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MMBR920LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB

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MMBR920LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1High-Frequency TransistorDesigned for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB Typ @ f =

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History: 2SD1211 | 3DD13005ED-M | BDX74 | ECG481 | 2SD1875 | T2020 | BC807-40

 

 
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