MMBR920LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBR920LT1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.268 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBR920LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBR920LT1 даташит

 6.1. Size:54K  motorola
 mmbr920l.pdf pdf_icon

MMBR920LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR920LT1/D The RF Line NPN Silicon MMBR920LT1, T3 High-Frequency Transistor . . . designed for thick and thin film circuits using surface mount components and requiring low noise, high gain signal amplification at frequencies to 1.0 GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB

 6.2. Size:64K  njs
 mmbr920l.pdf pdf_icon

MMBR920LT1

 7.1. Size:54K  motorola
 mmbr920 .pdf pdf_icon

MMBR920LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR920LT1/D The RF Line NPN Silicon MMBR920LT1 High-Frequency Transistor Designed for thick and thin film circuits using surface mount components and requiring low noise, high gain signal amplification at frequencies to 1.0 GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB Typ @ f =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBR521LT1, MMBR536, MMBR571LT1, MMBR901, MMBR901LT1, MMBR901LT3, MMBR911LT1, MMBR920, 13009, MMBR920LT3, MMBR931, MMBR931LT1, MMBR941, MMBR941BLT1, MMBR941BLT3, MMBR941LT1, MMBR941LT3