Справочник транзисторов. MMBR920LT1

 

Биполярный транзистор MMBR920LT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBR920LT1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.268 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBR920LT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBR920LT1 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:54K  motorola
 mmbr920l.pdf pdf_icon

MMBR920LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB

 6.2. Size:64K  njs
 mmbr920l.pdf pdf_icon

MMBR920LT1

 7.1. Size:54K  motorola
 mmbr920 .pdf pdf_icon

MMBR920LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1High-Frequency TransistorDesigned for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB Typ @ f =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBR521LT1 , MMBR536 , MMBR571LT1 , MMBR901 , MMBR901LT1 , MMBR901LT3 , MMBR911LT1 , MMBR920 , BC548 , MMBR920LT3 , MMBR931 , MMBR931LT1 , MMBR941 , MMBR941BLT1 , MMBR941BLT3 , MMBR941LT1 , MMBR941LT3 .

History: MMBR911LT1

 

 
Back to Top

 


 
.