MMBR920LT3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMBR920LT3  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.268 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT23

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MMBR920LT3 datasheet

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MMBR920LT3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR920LT1/D The RF Line NPN Silicon MMBR920LT1, T3 High-Frequency Transistor . . . designed for thick and thin film circuits using surface mount components and requiring low noise, high gain signal amplification at frequencies to 1.0 GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR920LT1/D The RF Line NPN Silicon MMBR920LT1 High-Frequency Transistor Designed for thick and thin film circuits using surface mount components and requiring low noise, high gain signal amplification at frequencies to 1.0 GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB Typ @ f =

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