MMBR920LT3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMBR920LT3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.268 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MMBR920LT3
MMBR920LT3 Datasheet (PDF)
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1High-Frequency TransistorDesigned for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB Typ @ f =
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Liste
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