Справочник транзисторов. MMBR920LT3

 

Биполярный транзистор MMBR920LT3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBR920LT3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.268 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MMBR920LT3 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:54K  motorola
 mmbr920l.pdf pdf_icon

MMBR920LT3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB

 6.2. Size:64K  njs
 mmbr920l.pdf pdf_icon

MMBR920LT3

 7.1. Size:54K  motorola
 mmbr920 .pdf pdf_icon

MMBR920LT3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR920LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR920LT1High-Frequency TransistorDesigned for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 500 MHz Low Noise NF = 2.4 dB Typ @ f =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MP4890 | AFY18 | S2055F | D33J24 | GD175 | S8050SDB | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.