MMBTH81LT1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMBTH81LT1

Código: 3D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 600 MHz

Capacitancia de salida (Cc): O.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT23

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MMBTH81LT1 datasheet

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MMBTH81LT1

MPSH81 MMBTH81 C E C TO-92 B E SOT-23 B Mark 3D PNP RF Transistor This device is designed for general RF amplifier and mixer applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 75. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VCBO Collector-Base Voltage

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MMBTH81LT1

DATA SHEET www.onsemi.com PNP RF Transistor COLLECTOR 3 MMBTH81 1 This device is designed for general RF amplifier and mixer BASE applications to 250 MHz with collector currents in the 1.0 mA to 2 30 mA range. Sourced from Process 75. EMITTER Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant NSV Prefix for Automotive and Other Applicatio

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