MMBTH81LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBTH81LT1  📄📄 

Маркировка: 3D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): O.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBTH81LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTH81LT1 даташит

 6.1. Size:73K  motorola
mmbth81l.pdfpdf_icon

MMBTH81LT1

 7.1. Size:126K  motorola
mmbth81.pdfpdf_icon

MMBTH81LT1

 7.2. Size:721K  fairchild semi
mpsh81 mmbth81.pdfpdf_icon

MMBTH81LT1

MPSH81 MMBTH81 C E C TO-92 B E SOT-23 B Mark 3D PNP RF Transistor This device is designed for general RF amplifier and mixer applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 75. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VCBO Collector-Base Voltage

 7.3. Size:163K  onsemi
mmbth81.pdfpdf_icon

MMBTH81LT1

DATA SHEET www.onsemi.com PNP RF Transistor COLLECTOR 3 MMBTH81 1 This device is designed for general RF amplifier and mixer BASE applications to 250 MHz with collector currents in the 1.0 mA to 2 30 mA range. Sourced from Process 75. EMITTER Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant NSV Prefix for Automotive and Other Applicatio

Другие транзисторы: MMBTA70LT1, MMBTA92, MMBTA92LT1, MMBTA93, MMBTA93LT1, MMBTH10, MMBTH24, MMBTH81, TIP35C, MMCM2221, MMCM2222, MMCM2369, MMCM2484, MMCM2857, MMCM2906, MMCM2907, MMCM3903