MP102 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP102

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 150 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

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MP102 datasheet

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MP102

 0.1. Size:439K  diodes
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MP102

DMP1022UFDF 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max 0.6mm profile ideal for low profile applications V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C PCB footprint of 4mm2 Low Gate Threshold Voltage 14.8m @ VGS = -4.5V -9.5A Fast Switching Speed 19m @ VGS = -2.5V -8.5A -12V ESD Protected Gate 26m @ VGS = -1.8V -7.2A To

 0.2. Size:207K  diodes
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MP102

DMP1022UFDE 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm profile ideal for low profile applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB footprint of 4mm2 TA = 25 C Low Gate Threshold Voltage Fast Switching Speed 16m @ VGS = -4.5V -9.1A ESD Protected to 3KV 21.5m @ VGS = -2.5V -7.9A Totally Lead-Free & Fully RoHS Comp

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