MP102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MP102

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

 Аналоги (замена) для MP102

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP102 даташит

 ..1. Size:965K  russia
 mp101-a-b mp102 mp103-a mp111-a-b mp112 mp113-a.pdf pdf_icon

MP102

 0.1. Size:439K  diodes
 dmp1022ufdf.pdf pdf_icon

MP102

DMP1022UFDF 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max 0.6mm profile ideal for low profile applications V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C PCB footprint of 4mm2 Low Gate Threshold Voltage 14.8m @ VGS = -4.5V -9.5A Fast Switching Speed 19m @ VGS = -2.5V -8.5A -12V ESD Protected Gate 26m @ VGS = -1.8V -7.2A To

 0.2. Size:207K  diodes
 dmp1022ufde.pdf pdf_icon

MP102

DMP1022UFDE 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm profile ideal for low profile applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB footprint of 4mm2 TA = 25 C Low Gate Threshold Voltage Fast Switching Speed 16m @ VGS = -4.5V -9.1A ESD Protected to 3KV 21.5m @ VGS = -2.5V -7.9A Totally Lead-Free & Fully RoHS Comp

Другие транзисторы: MO810, MO816, MO818, MO870, MP10, MP101, MP101A, MP101B, 2SD2499, MP103, MP103A, MP104, MP1077, MP10A, MP10B, MP11, MP110